郭旗-中国科学院大学-UCAS 知识图谱

郭旗-中国科学院大学-UCAS

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郭旗-中国科学院大学-UCAS
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研究领域
招生信息
工作经历
专利与奖励
出版信息
科研活动
指导学生
基本信息
郭旗男博导中国科学院新疆理化技术研究所电子邮件： guoqi@ms.xjb.ac.cn通信地址：乌鲁木齐北京南路40号附1号邮政编码： 830011
研究领域
半导体器件的空间辐射效应、损伤机理、模拟试验技术、加固方法及空间辐射环境在轨测量技术等研究。
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学085204-材料工程
招生方向
半导体器件的辐射效应电子材料辐射技术与应用
工作经历
工作简历
2008-12--2011-07 中国科学院新疆理化技术研究所研究员 2002-03--2008-11 中国科学院新疆理化技术研究所副研究员 1999-01--2002-01 中国科学院新疆物理研究所副研究员 1993-09--1998-12 中国科学院新疆物理研究所工程师 1987-09--1993-08 中国科学院新疆物理研究所助理工程师
专利与奖励
专利成果
（1）对管式差分输出PMOS辐射剂量计，发明，2007，第1作者，专利号：200410094862.1
出版信息
发表论文
[1] Cai, YuLong, Guo, Qi, Li, YuDong, Wen, Lin, Zhou, Dong, Feng, Jie, Ma, LinDong, Zhang, Xiang, Wang, TianHui. Heavy ion-induced single event effects in active pixel sensor array. SOLID-STATE ELECTRONICS[J]. 2019, 152(2):&nbsp93-99, http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5645.[2] Zheng, QiWen, Cui, JiangWei, Wei, Ying, Yu, XueFeng, Lu, Wu, Ren, Diyuan, Guo, Qi. Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2018, 35(4):&nbsphttp://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675544671.[3] 张兴尧, 郭旗, 李豫东, 文林. 不同偏置下铁电存储器总剂量辐射损伤效应. 太赫兹科学与电子信息学报. 2018, 16(1):&nbsp181-185, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000638996.[4] Zhou, Shuxing, Ai, Likun, Qi, Ming, Wang, Shumin, Xu, Anhuai, Guo, Qi. Bi-induced highly n-type carbon-doped InGaAsBi films grown by molecular beam epitaxy. 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科研活动
科研项目
（1）应变自组织InGaAs 量子点光电材料的辐射损伤机理研究，主持，国家级，2013-01--2016-12 （2）总剂量试验技术，主持，国家级，2011-01--2013-12 （3）星用PMOS剂量计研制，主持，其他级，2010-01--2017-12
指导学生
已指导学生李鹏伟硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学于跃硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学赵云硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学张乐情硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学张孝富硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学周东博士研究生 080903-微电子学与固体电子学张兴尧博士研究生 080903-微电子学与固体电子学现指导学生孙静博士研究生 080903-微电子学与固体电子学王海娇硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学武大猷硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学玛丽娅·黑尼博士研究生 080903-微电子学与固体电子学马林东硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
2013 中国科学院大学，网络信息中心.